09: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2017, 30.05.2017
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Institut für Anthropomatik und Robotik (IAR)
Genre
Description
- 0:00:00 Starten
- 0:00:33 Halbleiter-Grundlagen
- 0:02:01 Silizium und Germanium im Periodensystem
- 0:03:15 Halbleiter(Silizium, Germanium)
- 0:07:14 Pn-Übergang
- 0:09:16 Ist der Widerstand der Sperrschicht steuerbar?
- 0:11:10 Dioden-Kennlinie
- 0:12:21 Wie kann man daraus ein steuerbares technisches Bauelement?
- 0:17:48 Bipolar-Transistoren
- 0:20:16 MOSFET: Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor
- 0:23:36 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs
- 0:30:29 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs
- 0:32:36 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
- 0:34:42 Schaltsymbole für MOSFETs
- 0:37:23 Schalterebene
- 0:38:16 Transistor als Schalter
- 0:43:10 Schaltstärken eines pMOS-Transistors
- 0:45:20 Transmission-Gate
- 0:54:24 Schalter und logische Verknüpfungen
- 0:57:48 CMOS-Technologie
- 0:58:44 Zusammenschaltung von p- und n-Kanal-MOSFETS
- 1:01:22 Inverter in CMOS-Technologie
- 1:01:57 NAND-Funktion in CMOS
Duration (hh:mm:ss)
01:02:14
Series
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2017
Published on
02.06.2017
Subject area
License
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| Media Type | video/mp4 |
| Duration | 3734 s |
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| Video Bitrate | 800563 bps |
| Video Codec | h264 |
Media URL
Embed Code
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2017
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