Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, WS 2015/2016, gehalten am 16.11.2015, Vorlesung 06
Author
Participating institute
Institut für Anthropomatik und Robotik (IAR)
Genre
Description
- 0:00:00 Starten
- 0:00:10 MOSFET
- 0:05:47 Selbstsperrende n-Kana-MOSFETs
- 0:12:38 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs: Kennlinienfeld
- 0:14:25 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs
- 0:16:11 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs: Kennlinienbild
- 0:16:33 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
- 0:18:39 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs: Kennlinienfeld
- 0:19:04 Schaltsymbole für MOSFETs
- 0:21:43 Kapitel 3.2.2 Schalterebene
- 0:23:17 Transistor als Schalter
- 0:26:45 Schaltfähigkeiten
- 0:35:11 Transmission-Gate
- 0:44:57 Schalter und logische Verknüpfungen
- 0:50:01 CMOS-Technologie
- 0:50:29 Zusammenschaltung von p- und n-Kanal-MOSFETs
- 0:54:50 Inverter in CMOS-Technologie
- 0:56:14 NAND-Funktion in CMOS
- 0:58:13 NOR-Funktion in CMOS
- 0:58:41 Prinzipieller Aufbau einer CMOS-Schaltung
- 1:09:39 Vorteile dieser Konstruktion
- 1:09:50 Ideales Modell
Duration (hh:mm:ss)
01:10:56
Series
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, WS 2015/2016
Published on
24.11.2015
Subject area
License
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| Aspect ratio | 16:9 |
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| Media Type | video/mp4 |
| Duration | 4256 s |
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| Frame Rate | 25 |
| Video Bitrate | 799902 bps |
| Video Codec | h264 |
Media URL
Embed Code
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, WS 2015/2016
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