10: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2018, 05.06.2018
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Institut für Technische Informatik (ITEC)
Genre
Description
- 0:00:00 Starten
- 0:00:05 Halbleiter-Grundlagen
- 0:04:28 Halbleiter (Silizium, Germanium)
- 0:09:23 pn-Übergang
- 0:11:03 Ist der Widerstand der Sperrschicht steuerbar?
- 0:13:13 Dioden-Kennlinie
- 0:13:58 WIe kann man daraus ein steuerbares technisches Bauelement machen?
- 0:16:56 Bipolar-Transistoren
- 0:17:42 Funktionsweise: npn-Transistor
- 0:20:36 MOSFET: Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor
- 0:25:48 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs
- 0:30:28 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
- 0:32:58 Schaltsymbole für MOSFETs
- 0:35:27 Kapitel 3.2.2: Schalterebene
- 0:37:43 Transistor als Schalter
- 0:39:13 Schaltfähigkeiten
- 0:44:22 Transmission-Gate
- 0:52:17 Schalter und logische Verknüpfungen
- 0:58:27 CMOS-Technologie
- 0:59:33 Zusammenschaltung von p- und n-Kanal-MOSFETs
- 1:01:39 INverter in CMOS-Technologie
- 1:03:26 NAND-Funktion in CMOS
- 1:05:24 NOR-Funktion in CMOS
- 1:07:05 Prinzipieller Aufbau einer CMOS-Schaltung
- 1:15:11 Vorteile dieser Konstruktion
- 1:16:07 Inverter in CMOS-Technologie
- 1:18:51 Realeres Modell
- 1:20:46 Spannungsverlauf des Modells
Duration (hh:mm:ss)
01:23:41
Series
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2018
Published on
07.06.2018
Subject area
License
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| Aspect ratio | 16:9 |
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| Audio channels | 2 |
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| Video Bitrate | 821283 bps |
| Video Codec | h264 |
Embed Code
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2018
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