10: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2018, 05.06.2018
Autor
Herausgeber
Beteiligtes Institut
Institut für Technische Informatik (ITEC)
Genre
Beschreibung
10 |
0:00:00 Starten
0:00:05 Halbleiter-Grundlagen
0:04:28 Halbleiter (Silizium, Germanium)
0:09:23 pn-Übergang
0:11:03 Ist der Widerstand der Sperrschicht steuerbar?
0:13:13 Dioden-Kennlinie
0:13:58 WIe kann man daraus ein steuerbares technisches Bauelement machen?
0:16:56 Bipolar-Transistoren
0:17:42 Funktionsweise: npn-Transistor
0:20:36 MOSFET: Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor
0:25:48 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs
0:30:28 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
0:32:58 Schaltsymbole für MOSFETs
0:35:27 Kapitel 3.2.2: Schalterebene
0:37:43 Transistor als Schalter
0:39:13 Schaltfähigkeiten
0:44:22 Transmission-Gate
0:52:17 Schalter und logische Verknüpfungen
0:58:27 CMOS-Technologie
0:59:33 Zusammenschaltung von p- und n-Kanal-MOSFETs
1:01:39 INverter in CMOS-Technologie
1:03:26 NAND-Funktion in CMOS
1:05:24 NOR-Funktion in CMOS
1:07:05 Prinzipieller Aufbau einer CMOS-Schaltung
1:15:11 Vorteile dieser Konstruktion
1:16:07 Inverter in CMOS-Technologie
1:18:51 Realeres Modell
1:20:46 Spannungsverlauf des Modells
Laufzeit (hh:mm:ss)
01:23:41
Serie
Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2018
Publiziert am
07.06.2018
Fachgebiet
Lizenz
Auflösung | 1280 x 720 Pixel |
Seitenverhältnis | 16:9 |
Audiobitrate | 128000 bps |
Audio Kanäle | 2 |
Audio Codec | aac |
Audio Abtastrate | 48000 Hz |
Gesamtbitrate | 955382 bps |
Farbraum | yuv420p |
Container | mov,mp4,m4a,3gp,3g2,mj2 |
Medientyp | video/mp4 |
Dauer | 5022 s |
Dateiname | DIVA-2018-411_hd.mp4 |
Dateigröße | 599.686.654 byte |
Bildwiederholfrequenz | 25 |
Videobitrate | 821283 bps |
Video Codec | h264 |
Embed-Code